氧化鋅是一種寬禁帶直接帶隙半導體，具有電子漂移飽和度高、介電常數(shù)小、導電性能好等特點。近年來，由于稀土元素具有獨特的光學性質，在實驗上和理論上對稀土摻雜ZnO的光學性質的研究引起人們的廣泛興趣。由于氧化鋅是寬禁帶半導體，成本低，制備工藝簡單。因此，稀土元素摻雜氧化鋅在制備光電器件方面具有廣闊的應用前景。在理論上，Eu摻雜ZnO具有優(yōu)質的物理性質和化學性質。在實驗上，Eu摻雜ZnO已經(jīng)被用于平板電視等顯示設備。
通過理論研究發(fā)現(xiàn)，不同濃度的稀土元素摻雜氧化鋅可以使得氧化鋅光電性能產(chǎn)生相當顯著的變化。然而，理論上對不同濃度Nd摻雜對氧化鋅的光學性質的影響研究甚少。在本文中，基于密度泛函理論通過第一性原理計算主要研究了稀土元素Nd摻雜ZnO的光學性質的研究。首先比較了其中一種摻雜濃度和純凈ZnO體系的介電函數(shù)、吸收系數(shù)和反射系數(shù)；接著分析了不同摻雜濃度體系的介電函數(shù)；最后，計算了不同摻雜濃度體系的吸收系數(shù)。
所有的計算工作都是基于密度泛函理論的第一性原理計算程序即在Vienna Abinit Simulation Package（VASP）代碼完成的。采用的交換關聯(lián)勢為廣義梯度近似（GGA）。計算參數(shù)設置情況：采用網(wǎng)格為5×5×3的Monkorst-park特殊k點對整個布里淵區(qū)求和，平面波截斷能為450eV。為了得到可靠的結果，在結構優(yōu)化基礎上進行靜態(tài)計算。
晶格常數(shù)a=b=0.3249 nm，c=0.5206 nm，其中c/a為1.602。沿c軸方向的Zn-O鍵長為0.1992 nm，其他方向為0.1973 nm。在本文中，我們構建的純凈ZnO的模型為：pure-ZnO晶體的超晶胞由36個原子組成，是在ZnO原胞基矢方向擴展兩個單位得到的3×3×1的超晶胞模型（如圖1a所示）。O、Zn和Nd的價電子分別選取為O2s22p4、Zn3d104s2、和Nd5s25p65d16s2。不同濃度的稀土元素（Nd）摻雜模型如圖1所示。其中，（a）是pure-ZnO為3×3×1超晶胞；（b）是Nd-36為3×3×1超晶胞；（c）是Nd-72為3×3×2超晶胞；（d）是Nd-108為3×3×3超晶胞。
