氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體材料。同時氧化鋅材料多變的形態(tài)結(jié)構(gòu)直接決定其物理性質(zhì)及應用潛力。因此，研究各種氧化鋅微/納米材料的晶體結(jié)構(gòu)及生長行為，對探討其產(chǎn)生獨特性能的原因，設計新型功能材料，以及進一步拓展氧化鋅材料的應用領(lǐng)域都有重要意義。
研究發(fā)現(xiàn)，在高溫沉積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部，納米帶的生長方向受催化劑晶格匹配的影響。在低溫沉積時催化劑則出現(xiàn)在底部，其生長方向為[0001].研究中還利用催化劑或誘導劑的作用合成了梳子狀氧化鋅材料，并實現(xiàn)了定向生長；研究發(fā)現(xiàn)，其生長方向在低溫沉積時比較多變，在高溫沉積時其生長方向僅為10-10或2-1-10.最后，在碳熱還原過程中討論了氧化鋅與炭布、碳納米管（CNTs）及銅納米棒陣列復合材料的生長行為。研究發(fā)現(xiàn)，大尺寸炭材料易于與氧化鋅納米材料形成復合物。然而，直接在納米碳材料表面生長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導，而且隨沉積溫度的升高氧化鋅的形態(tài)由線到棒最后形成顆粒。同樣，氧化鋅納米材料與Cu納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的形成主要受溫度的影響。
